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科技專案成果

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫(4/4)
發佈日期:2012-07-12
單位:工業技術研究院
案例年度:2011
簡介:
奈米電子計畫主要發展目的在協助國內產業界建立下世代記憶體技術之自主研發能力及掌握關鍵IP,選擇深具潛力、技術尚未成熟、可掌握關鍵製程及廠商投入意願強之研發項目,以強化產業競爭力。在計畫初期就與國內廠商緊密合作,包括與台積電在磁性記憶體的長期合作計畫,建立了首座與CMOS製程相容的磁性記憶體製程環境,催生領先全球的12吋MRAM量產製程研發團隊,以及與國內四家記憶體廠商共同成立相變化記憶體研發聯盟,此兩項技術的開發直接帶動產業界逾新臺幣十億元的投資;計畫期間除了開發出多項領先國際的技術指標,並適時依產業需求調整研發方向,利用相變化記憶體技術的研發經驗,同步開發出另一項優於國際指標的電阻式記憶體技術,並以具國際水準的技術實力吸引國際大廠與工研院洽談合作,成功將新興記憶體技術研發成果推廣予產業界。

特色:
計畫主持人相當積極活躍,計畫規劃及組織分工能力良好,並重視內外溝通協調;與產業界互動能力佳,促進產學研合作,並爭取國際合作及獎項榮譽,領導風格成熟。技術移轉與專利申請均有豐碩的表現,研發成果並發表於各式國際會議,提升國際能見度,並催生領先全球的 1 2 吋M R A M 量產製程研發團隊。全程計畫累計技術移轉及技術服務簽約金額共新臺幣2.16億元,國內外專利授權收入逾新臺幣1 億元, 達計畫預算之4 3 % , 並於四年內促成廠商投資新臺幣12億元。

計畫成果:
  • 奈米電子關鍵計畫自2004年起,幾乎每年的技術成果都受到頂尖國際會議的肯定;包括IEDM、ISSCC、VLSI、ITC等會議。
  • 近年來以具國際水準的技術實力受到各會議之重視,而受邀為Invited speaker;包括Intel NVM workshop 2010、VLSI 2011、IEDM 2011、IMEC NVM workshop支援產業開發新世代記憶體技術,縮短其研發時程,促成產業躍升。
  • 建立了首座與CMOS製程相容的磁性記憶體製程環境,催生領先全球的12吋MRAM量產製程研發團隊。
  • 結合業界能量共組PCM研發聯盟,節省研發成本亦創造產業整體效益。
  • 成功將電阻式記憶體推廣予華邦電子,帶動國內記憶體產業投資新興記憶體技術。
  • 利用工研院多年磁性材料研究經驗,協助宇能電磁性感測器技術之開發並促成試量產,有助於該公司未來自主量產能力之建立。
  • 與IBM研究團隊共同合作開發磁性軌道記憶體(Racetrack Memory)國際合作計畫,積極拓展下世代記憶體產業國際化。
  • 帶領計畫執行期間,於四年內促成廠商投資金額逾新臺幣12億元,國內外論文發表累計35篇,累計專利申請61件。
2011年2月赴日參展-展示電阻式記憶體高速、低功率與高穩定性之優異成果,未來可取代SRAM等外部記憶體
2011年2月赴日參展-展示電阻式記憶體高速、低功率與高穩定性之優異成果,未來可取代SRAM等外部記憶體

實體照-高速、低功率與高穩定性之電阻式記憶體
實體照-高速、低功率與高穩定性之電阻式記憶體

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