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科技專案成果

【國際獲獎】精準拿捏火侯 力助製程進階
發佈日期:2018-01-04
單位:工業技術研究院
案例年度:2017
簡介:
半導體退火過程影響產品良率,工研院研發的「半導體微波退火」技術採用2.45GHz微波管,成本僅工業等級5.8GHz的1/10、平均使用壽命長6倍,且產出晶圓均勻性達99.5%,超越廠商99%的標準。

特色:

獎項名稱:美國百大科技研發獎(R&D 100 Awards 2017)
執行單位:工業技術研究院
獲獎成果:半導體微波退火
 

成果說明:
 

半導體退火是將離子佈植完後的晶圓加熱到高溫,藉以矽晶格恢復單晶及使摻雜物質活化。退火過程攸關半導體產品良率,以七奈米製程為例,退火過程中磊晶受熱溫度需壓低至攝氏500度以下;閘極尺寸越小,要求的溫度越低,未來市場趨勢要求將降低至攝氏400度以下。由交通大學、工研院、國家奈米元件實驗室合作的「半導體微波退火」技術,直接以2.45GHz微波對晶圓的矽原子加熱,如此可避免摻雜物質熱擴散效應,可達到低溫退火效果。此外,微波退火技術可以批次處理多片晶圓,比起「快速熱退火」一次僅能處理一片晶圓更有效率。目前開發的2.45GHz微波退火技術,單片晶圓的均勻性,已由95.9%增加至99.5%,已達國內半導體廠99%的基本標準,此技術已有國內廠商採用,並衍生應用於碳纖化工業及LED光電業等產業。
 

2017全球百大科技研發獎獲獎成果-半導體微波退火。

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