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科技專案成果
聚光型多接面太陽電池元件關鍵技術發展計畫
發佈日期：2012-07-10
單位：晶元光電股份有限公司
案例年度：2010
簡介：
III-V族多接面太陽電池，具有高能量轉換效率(>35%)的優點，高於矽太陽電池的20%，而聚光式設計可以將太陽電池晶片用量降到原本的1/500~1/1000，解決太陽電池原料短缺的問題。本計畫的目標為開發高效率聚光型III-V族太陽電池，晶元光電在計畫中完成了高效率太陽電池磊晶結構開發、製程開發、測試系統建立與校正，成功開發出聚光下，效率達40.65%的太陽電池，專案計畫執行期間，申請專利達19件，並發表2篇國際研討會論文，目前已順利量產2項聚光型太陽電池晶片，量產品平均效率超過38%。
特色：
晶元光電於本計畫開發聚光型Ⅲ-Ⅴ族半導體太陽電池，其中Triple Junction及IMM型分別達到40.12%及40.65%效率，為國內 最高效率，總計申請專利19件。本計畫與成功大學及核研所合作研究，此外長期(含計畫執行期間)與台大、清大、交大及工研院合作研 究，年度研發經費投入高達新台幣5億元，且有完善的產學研推動專責機制，足為產學研合作計畫之楷模。
計畫成果:
1. 成功完成多接面太陽電池磊晶技術、高效能InGaP/AlGaAs tunnel diode、高聚光太陽電池製程。
2. Triple junction solar cell，1-sun效率達32.32%，聚光效率達 40.12%，量產品500-sun效率平均大於38%。
3. 完成Metamorphic太陽電池磊晶技術，以及4-inches太陽電池 wafer bonding技術。
4. 完成新世代IMM solar cell原型，1-sun效率達33.23%，聚光效率 達40.65%，預期IMM solar cell效率未來可達到45%以上。
設立於晶電南科廠的3KW聚光型太陽電池測試系統
磊晶製程設備與4英吋太陽電池晶圓
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