:::
新世代半導體
我國面對未來新興科技產業發展趨勢，包括6G以及低軌道衛星與安全可信賴的量子通訊、元宇宙(Metaverse)應用服務以及電動車(Electric Vehicle, EV)等的加速發展，「六大核心戰略產業」政策將使我國產業在面臨地緣政治新態勢中，仍能確保國際戰略地位，以科技帶動並強化關鍵產業創新轉型。為扣合國家科研政策並掌握未來科技發展新契機，提升我國新世代半導體產業鏈與自主研發能量將是關鍵。爰此，經濟部、科技部、中研院等在新世代半導體進行跨部會共同合作；經濟部技術處主責先端關鍵技術研發，發展策略則以保持並延伸我國在矽基半導體產業的全球領先優勢，同時補足國內產業鏈缺口，強化供應鏈自主能力。
技術研發措施
新世代半導體技術研發項目包括超導量子關鍵元件、適合電力電子應用並具備耐高壓特性的碳化矽(Silicon Carbide, SiC)，與適合超高頻無線通訊應用並具備高功率特性的氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)化合物半導體。其中在SiC部分，著重半絕緣SiC高純度粉體材料製備，以及晶錠雷射改質高效能切磨拋技術，與1,700 V耐壓金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)車用功率元件暨模組開發，以期達成我國2025年8吋SiC晶圓投產的政策目標；在GaN部分，開發高性價比的毫米波(Millimeter Wave, mmWave)元件暨模組，以及整合天線陣列之先進封裝技術；在量子元件部分，聚焦量子電腦關鍵零組件低溫(~4K)微波控制電路與模組暨相關量測技術之開發。
- 化合物半導體元件關鍵技術
- 化合物半導體材料關鍵技術
- 化合物半導體晶錠切割設備關鍵技術
- B5G/6G高頻高功率電子元件與模組技術
- 量子科技關鍵元件及電路模組開發技術
