::: 網站導覽 | English | 回首頁 | 回經濟部首頁 | 部長重要談話 分享 字級
:::
全文檢索
:::

產業及經濟合作

NAND過度投資 不利價格走勢
種類:產業及經濟合作  發布單位:國際合作處  發布日期:2018-07-12 16:21
據調研機構 IC Insights 10 日發表的研究報指出,NAND記憶體製造商資本支出遠超過需求的成長幅度,整體市況呈現供過於求,估計今年的 NAND 記憶體價格將進一步走跌。
5大NAND記憶體業者預期未來幾年出貨平均將成長40%,報告以此作假設,估計今年整體產業資本支出需220億美元,但實際支出達310億美元,超額投資90億美元。
NAND記憶體業者去年已多投入60億美元擴充產能,今年超額投資情形更加嚴重,歷史經驗顯示資本支出增加太多將導致產能過剩,會對報價形成下行壓力。
有鑒於此,ICinsights預期今年初已經疲軟不堪的NAND報價下半年將加速走跌,且趨勢將持續至2019年。 記憶市場的歷史先驅表明,過多資本支出通常會導致產能過剩,以及價格疲軟。
由於三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/WD,以及武漢新芯(XMC) / 長江存儲(Yangtze River Storage)都打算大幅提升 3D NAND 記憶體產出數量,IC insights預期未來幾年NAND記憶體供過於求的可能性很高。IC Insights 認為,各廠高估 3D NAND 市場需求,風險不斷升溫。
參考資料:MoneyDJ新聞、鉅亨網
點閱數82

更新日期:2018-03-13
回上一頁 回頁首
經濟部國際合作處  聯絡地址:10015 臺北市中正區福州街15號
電話:02-23212200    
本網站支援IE、Firefox及Chrome,最佳瀏覽解析度為1024x768以上
政府網站資料開放宣告 | 隱私權政策 | 網站安全政策 MNS2