5G、AI人工智慧驅動半導體產業快速成長，然複雜的運算亦帶來耗電的瓶頸，經濟部多年來布局開發記憶體內運算與嵌入式記憶體技術，同時與國內半導體大廠、美國UCLA DARPA計畫進行合作，全力發展更快、更穩、不失憶的新世代記憶體效能，效能媲美Intel並領先三星，更解決記憶體陣列的干擾問題，為產業化邁進了一大步，如應用在手機，手機使用AI功能電量從一天延長至逾三天，樹立傲視全球的新里程碑。

　　隨著手機AI功能越來越多，使得手機電池能使用時間不斷降低，省電的AI運算晶片就變得非常重要，也讓記憶體內運算技術已成為全球AI晶片技術兵家必爭之地。傳統AI運算晶片，必須讓運算的資料在記憶體與處理器之間不斷的搬動，非常耗電，不適合做為終端裝置，如手機的AI運算晶片。經濟部支持工研院發展的記憶體內運算技術，即可讓手機內的運算資料直接在記憶體內運算，非常省電，原本手機使用AI功能的電量只能使用一天，現在可延長至三天以上。

　　目前工研院在記憶體內運算技術上即有不錯的成果，從2020,2021至2022年，均在ISSCC、Symposium on VLSI、A-SSCC等國際頂級研討會發表SRAM based記憶體內運算的相關論文，取得世界領先的地位。然而記憶體內運算需搭配極低耗電、高速運算、高耐久性的嵌入式記憶體元件，以進一步提升效能優勢。經濟部指出，以蘋果的Iphone 13晶片為例，需超過12,000個記憶體陣列，每個陣列有8,000個元件，必須開發控制電路，解決記憶體陣列的干擾問題。工研院發展新型的磁性記憶體技術，目前元件效能媲美Intel、領先三星達20%，達成可超過10年資料儲存能力等特性的技術；未來可整合進先進製程處理器，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。相關成果亦吸引美國加州大學洛杉磯分校(University of California, Los Angeles; UCLA)合作下一代電壓控制式磁性記憶體VC-MRAM合作開發計畫，隸屬於美國國防高等研究計畫署(DARPA)專注的下一代記憶體MRAM研究案。

　　面對市場科技創新與市場發展，當前的科技應用已經從單純的PC與手持式裝置轉換到到雲端運算、邊緣運算等；未來加上大數據與AI人工智慧的發展，更加延伸到自駕車、物聯網等領域。經濟部將持續擘劃半導體相關藍圖，攜手產業共同開創更前瞻的下世代技術，讓臺灣在國際上發光發亮。

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