:::
科技專案成果
【國際獲獎】精準拿捏火侯 力助製程進階
發佈日期：2018-01-04
單位：工業技術研究院
案例年度：2017
簡介：
半導體退火過程影響產品良率，工研院研發的「半導體微波退火」技術採用2.45GHz微波管，成本僅工業等級5.8GHz的1/10、平均使用壽命長6倍，且產出晶圓均勻性達99.5%，超越廠商99%的標準。
特色：
獎項名稱：美國百大科技研發獎(R&D 100 Awards 2017)
執行單位：工業技術研究院
獲獎成果：半導體微波退火
成果說明：
半導體退火是將離子佈植完後的晶圓加熱到高溫，藉以矽晶格恢復單晶及使摻雜物質活化。退火過程攸關半導體產品良率，以七奈米製程為例，退火過程中磊晶受熱溫度需壓低至攝氏500度以下；閘極尺寸越小，要求的溫度越低，未來市場趨勢要求將降低至攝氏400度以下。由交通大學、工研院、國家奈米元件實驗室合作的「半導體微波退火」技術，直接以2.45GHz微波對晶圓的矽原子加熱，如此可避免摻雜物質熱擴散效應，可達到低溫退火效果。此外，微波退火技術可以批次處理多片晶圓，比起「快速熱退火」一次僅能處理一片晶圓更有效率。目前開發的2.45GHz微波退火技術，單片晶圓的均勻性，已由95.9%增加至99.5%，已達國內半導體廠99%的基本標準，此技術已有國內廠商採用，並衍生應用於碳纖化工業及LED光電業等產業。
2017全球百大科技研發獎獲獎成果-半導體微波退火。
點閱數：
1135
