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國家中山科學研究院

 

科技專案執行機構之個別意見
 
 
一、績效表現評述

 
(一)國家中山科學研究院(簡稱中科院)結合碳化矽(SiC)半導體上中下游業者,從國內無法取得之上游關鍵原料與碳化矽長晶技術及切入設備開發,開發高頻通訊用半絕緣與導電型碳化矽晶體技術,促成國內晶圓廠投資設廠,解決上游晶圓瓶頸,加速碳化矽技術應用,協助國內廠商打入行動電信基地台之國際市場,值得嘉許。

 
(二)完成工商儲能場域實際用電情境量測與分析,以智慧科技抑制尖峰需量(kW)及減少用電量(kWh),成效具體,值得肯定。

 
二、短中期精進意見

 
(一)中科院應積極結合產業界資源,增加研發成果產業化及商品化能量,並針對具產業效益之研發項目,集中研發能量,帶動產業發展,以凸顯中科院之產業效益。

 
(二)有關應用原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition, ALD)於薄膜鈍化(Passivation Layer),建議提出具體量化成果,以展現中科院之產業貢獻。

 
(三)宜規劃軍民通用科技之發展方向,盤點可用於民間廠商之技術,擴大技術應用動能。如:與中油之介相碳微球 (Mesophase Carbon Microbeads, MCMB)已開發多年,應加速民營化,以利在電池碳極及導電複材方面能多所發揮。

 
(四)建議儲能設備宜考慮儲能效率、儲量、材料與電網之串聯技術,以利於後續之整合應用。

 
(五)在社會責任執行成果方面,除了對於官方機構之貢獻,宜多重視與民間及產業之互動,凸顯中科院之獨特貢獻。

 
三、未來發展方向

 
(一)中科院強項為系統整合,此方面是國內產業的弱項,建議應加強協助提升國內產業在系統層面的技術。

 
(二)建議成立專責單位負責技術移轉談判及推廣,避免由計畫執行單位之研發人員直接談判,藉由專業單位協助爭取更好的技術移轉績效。

 
(三)除了碳化矽(SiC)外,宜考慮氮化鎵(GaN)在5G之專利布局及應用,並考慮「高電子移導率電晶體(HEMT)」之商業化發展。

 
(四)建議加強跨法人合作,避免資源重覆投入,達到技術互補,同時避免僅以成立研發聯盟作為跨領域合作之執行績效。

 
(五)建議加強系統技術之跨領域應用,非僅投入單一尖端技術,對於軍民通用科技之投入,應有策略性規劃並積極推動。

更新日期:2020-11-02

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