1.受貿易紛爭干擾，108年我國DRAM產值減少，惟產量續呈成長：動態隨機存取記憶體(DRAM)為手持行動裝置、筆電、伺服器、5G設備及資料中心等各項電子產品及設備之重要零組件，且具備大宗商品特徵，價格易受供需關係而成週期性變動。100年因供給大於需求，DRAM價格出現崩盤，開啟全球記憶體廠整併風潮，隨供需漸次回穩後，價格亦逐步攀升，影響所及，102~103年我國DRAM產值增逾35%，產量亦自103年起轉呈正成長。惟104~105年因市場需求漸緩，庫存升高，記憶體價格再次走跌，雖產量續呈增長，惟產值轉為減少；106~107年則受惠虛擬貨幣挖礦機、手持行動裝置及企業競相建置資料中心，對記憶體需求擴增，重新帶動價格飆漲，107年產值達1,915億元(年增28.3%)，創歷年新高。108年受貿易紛爭干擾，全球經濟成長疲弱，消費市場需求不振，導致記憶體價格下跌，產值年減18.7%，惟在國外轉單及擴增在台產能效應下，產量仍續成長近1成。
2.今年受惠遠距商機及新興科技應用擴增，我國DRAM銷售值回升：109年全球雖遭受COVID-19疫情威脅，卻也掀起遠距辦公及線上教學風潮，加上5G通訊等新興科技應用擴增，帶動另一波記憶體需求增加，價格跌幅因而漸次收斂，109年1-7月產量較上年同期成長6.7%，產值則減2.3%，惟減幅明顯縮小。銷售方面，因終端需求上升，加速庫存去化速度，帶動1-7月整體銷售值年增率轉呈正成長5.4%，其中直接外銷比重受惠轉單及擴增在台產能效益，持續提高至87.4%，外銷值年增6.4%。
3.貿易戰加速供應鏈調整，DRAM出口新加坡比重增加：109年1-9月我國DRAM出口年增4.8%，金額50.2億美元，為自104年以來同期新高，主要出口市場以中國大陸及香港為首(占51.9%)，年增8.5%，其次為新加坡(占37.8%)，微減0.03%。近年受貿易戰影響，廠商進行供應鏈調整，以及多家半導體廠於新加坡投資設廠，加上中國大陸提高DRAM自製率，出口至中國大陸及香港占比逐年下降，109年1-9月跌至51.9%，較106年下降22.6個百分點，新加坡則大幅上升26.9個百分點。


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