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活動回顧

經濟部技術處開創國際鏈結新里程碑 工研院攜手UCLA引領創新記憶體科技傲全球
活動日期:2022-03-03
活動內容:
5G、AI人工智慧已是驅動半導體產業成長趨勢,隨著晶片體積愈來愈小,擁有高速度、高效能的磁性記憶體(Magnetic Random Access Memory;MRAM)技術已成為主流。在經濟部技術處支持之下,工研院發展的磁性記憶體有最新突破。在美國國防高等研究計畫署(Defense Advanced Research Projects Agency;DARPA)支持下,工研院與美國加州大學洛杉磯分校(University of California, Los Angeles;UCLA)宣布簽署VC-MRAM合作開發計畫,未來將共同開發下一代的磁性記憶體,期許以工研院媲美國際的技術基礎、結合UCLA創新概念,將材料元件應用在記憶體晶片內進行運算儲存,未來可望減少近百倍能耗,提升逾十倍速度,樹立創新記憶體新里程碑。

經濟部技術處表示,經濟部長期投入資源協助國內半導體產業技術研發,同時也力促工研院投入下世代自旋霍爾式磁性記憶體(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)技術,研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體技術,並於2019年在全球指標性IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting MRAM Poster Session; IEDM Poster)中發表,其技術成果已逐步產業落地,為臺廠進入新世代記憶體鋪下康莊大道。如今,深厚的研發基礎吸引具有前瞻研發技術研發能量的頂尖學術機構UCLA與工研院合作開發電壓控制式磁性記憶體(Voltage Control Magnetic RAM; VC-MRAM)。其與SOT MRAM相比,VC-MRAM具有更快寫入速度(縮短50%)、讀寫能耗更低(減少75%)的特性,非常適合AIoT及汽車晶片的應用需求。此次合作,雙方強強聯手,進一步投入創新記憶體科技開發與產業化進程,並強化美國重要合作夥伴的關係,成功協助國內外廠商提升國際競爭力,於下世代先進製程上搶占先機。

工研院電光系統所所長吳志毅指出,AI人工智慧、5G 時代來臨,快速處理大量資料的需求暴增,隨著摩爾定律持續向下微縮,半導體業者開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的解決方案。由於MRAM擁有與靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory;SRAM)的寫入、讀取速度,還兼具節能可靠的特色,近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。工研院多年前就深耕MRAM技術,從元件創新、材料突破、電路優化等方式展開研究,成功開發出國際領先的磁性記憶體技術。今年在DARPA與經濟部技術處支持下,與UCLA簽訂合作開發計畫,更成為工研院第一個獲得DARPA實際支持的合作案例;未來將以工研院深厚的技術基礎結合UCLA創新概念,深化在電壓控制式磁性記憶體(Voltage Control Magnetic RAM; VC-MRAM)技術的研發,攜手將低耗電與可靠度推進到新層次,進而協助臺灣半導體產業搶攻消費性電子、車用電子與AI人工智慧應用龐大商機,站穩供應鏈關鍵位置,樹立國際半導體嶄新里程碑。

UCLA電氣工程特聘教授Kang Wang表示,工研院為國際級的應用研究機構,擁有獨特與強大的專業知識與技術能力,在MRAM技術上更有穩固的基礎與研發實力,如今雙方能攜手合作,勢必能在基礎上往上堆疊,開創更前瞻先進的成果。UCLA電路和嵌入式系統教授和區域總監Sudhakar Pamarti則指出,工研院擁有開發元件、製作驗證的平台與開發經驗,透過實現UCLA製程開發的創新概念,將材料元件的開發往相關應用推進,期待2023年初之時,以世界頂尖的技術,翻轉下世代記憶體里程碑。

工研院在多年前就為下世代產業發展提出2030智慧化致能技術,在5G、大數據、AI人工智慧與物聯網科技的輔助下,讓各式創新應用發展有無限可能,未來將持續攜手國際產學研,共同推動產業升級與跨域合作,加速產業落地與創新應用,以創新科技創造新商機。


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更新日期:2022-03-21

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