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作者：劉美君/工研院

過往在半導體製造的議題上，一直是以邏輯IC(Logic IC)為重點，強調如何透過元件的高度集積，來增加IC本身的運算速度與降低功耗。由於類比IC(Analog IC)的設計技術門檻較高，早期臺灣相關設計人才投入較少，Analog IC的相關設計與製造在臺灣並未成為主流，而其中Power Device的領域更是的廠商較少觸及的話題。

然而隨著5G與IoT機能的擴張，以及對裝置電子化議題日漸蓬勃發展，對充電以及新能源的轉換需求大舉擴增，造成市場對功率半導體需求不斷增加。下一階段的後功率半導體時代期待新一代寬能隙材料在製程與材料上的持續變革，推升生產良率與量產性。

就應用層面來看，碳化矽功率元件(SiC Power Device)未來因新能源來源日益增加，IoT電子裝置對功耗、充電等議題需求攀升，為SiC Power Device的擴大化帶來新機會。而氮化鎵功率元件(GaN Power Device)適合應用在高溫、高頻的操作環境，在散熱性能具優勢，可應用於5G基礎設施相關晶片。

因此功率半導體技術與市場擴大化揚帆待發，未來市場可期，也讓臺灣業者開始啟動新一波的投資風潮，使得功率半導體成為晶圓代工8吋廠轉型新選擇。相信隨著新興應用的需求的日漸開展，多樣化的Power Device產品亦將逐步滲透到我們的日常生活當中，成為不可或缺的半導體元件技術。

完整內容請詳見：【產業技術評析】功率半導體技術未來發展解析